最近一个项目对TYPE-C识别有特殊设计，需要在USB插入时和拔出时对两路CC上拉电源做延时1s上电或关断。如果不做延时，有可能导致USB识别失败。通过测试用以下两个电路可以满足要求。 图1的延时时间通过C250,C251,R90来调整，VBUS断开后利用C250,C251储存的电压，来给Q2的栅极提供高电平，使Q2暂时无法导通。随着C250,C251的电压逐渐降低，Q2的VGS满足Q2导通，VCC4V0_D有电压。D6用于防止C250上的电压通过其他电路泄掉。图2的延时时间通过C252,C253，R83来调整。VBUS接通时，由于电容C252,C253两端的电平无法突变，所以上电瞬间Q11的

有时候去面试，偶尔会遇到一些考官喜欢考一些基础性的知识，其中三极管放大电路参数计算，是他们津津乐道的题目。在实际设计中，很少用到三极管放大电路，多数是用在开关电路上，不清楚是什么原因，他们就喜欢考。下面就讲一下三极管放大电路参数计算。已知三极管输出负载最小为10K，电压放大倍数Av=5，三极管放大电路的电源电压VCC=15V,极管电流放大倍数β=100，试计算R1、R2、Rc和Re的值?注意：锗晶体三极管Vbe约为0.2V，硅晶体三极管vbe约为0.55-0.65V。当输出负载为RL时，Ro=Rc||RL，当输出为空载时，Ro=Rc因为ΔVo=-ΔIc*Ro，ΔIe=(1+β) *ΔIb，≈Δ

本篇博文分享在实际工作中经常使用的一种典型的三极管和MOS管结合的开关控制电路，关于三极管和MOS管的基础使用方法可以参见下文说明。一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用最近在工作中见到一种开关控制电路，MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示：电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。三极管的

文章目录1.二极管1.1.TVS二极管1.2.肖特基二极管（Schottkydiode）1.3.隧道二极管（TunnelDiode）1.4.变容二极管1.二极管普通的二极管的定义是正向导通，反向截止，和电阻器相似，由于设计物理结构不同，或掺杂稀土材料不同，在普通的二极管基础上，还衍生出了诸如光电二极管、齐纳二极管等特殊的二极管。先说比较常见的几种：符号名称说明普通二极管（Diode）对电流能够单向截止，比如防止电流倒灌，电路保护，整流中比较常见。齐纳二极管（ZenerDiode）又称稳压二极管，尽管它也具备普通二极管一样的单向导通能力，但是由于反接时能够在一定电压下出现崩溃效应，从而使供电电压

电子技术——伪NMOS逻辑电路伪NMOS逻辑反相器下图展示了从CMOS修改而来的CMOS反相器：在这里只有QNQ_NQN​接入输入端电压，同时QPQ_PQP​接地。QPQ_PQP​相当于是QNQ_NQN​的负载。当我们深入研究这个电路之前，首先这个电路存在一个显然的优点：每一个输入变量只连接了一个晶体管。因此受到扇入效应影响的传播延迟可以得到改善。图(a)很像CMOS反相器，因此我们称为伪NMOS逻辑反相器。为了比较，我们将简短的介绍一下伪NMOS逻辑反相器两个旧的形式。最早的使用增强型MOSFET作为负载，如图(b)。这个电路的缺点是电压摆幅太小，噪声容限太低，具有过高的静态功率耗散。由于以

如何判断反馈电路的类型反馈电路类型很多，可根据不同的标准分类：①根据反馈的极性分：有正反馈和负反馈。②根据反馈信号和输出信号的关系分：有电压反馈和电流反馈。③根据反馈信号和输入信号的关系分：有串联反馈和并联反馈。④根据反馈信号是交流或直流分：有交流反馈和直流反馈。电路的反馈类型虽然很多，但对于一个具体的反馈电路，它会同时具有以上四种类型。下面就通过图2-13中所示的两个反馈电路来介绍反馈类型的判别。图2-13两个反馈电路1.正反馈和负反馈的判别(1)晶体管各极电压的变化关系为了快速判断出反馈电路的反馈类型，有必要了解晶体管各极电压的变化关系。不管是NPN型还是PNP型晶体管，它们各极电压变化都

如果只看一个芯片的外观，是无法区分TTL和CMOS的。因为它们是按照芯片的制作工艺来分类的。CMOS内部集成的是MOS管，而TTL内部集成的是三极管。工作原理P型半导体（空穴）P型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了三价硼，此时硼原子最外层缺少了一个电子，我们用空穴代替这个缺少的电子。空穴吸引电子，对外显正电。我们称之为P型半导体。P取自Positive的首字母，正的、积极的。需要注意的是，P型半导体里面并不全是空穴，它里面也有自由电子的存在，但没有N型半导体里面那么多。N型半导体（电子）N型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了五价磷，此时磷原子多了一个自由电子，自由电子带负电，我们称之为N型半导体。N取

如果只看一个芯片的外观，是无法区分TTL和CMOS的。因为它们是按照芯片的制作工艺来分类的。CMOS内部集成的是MOS管，而TTL内部集成的是三极管。工作原理P型半导体（空穴）P型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了三价硼，此时硼原子最外层缺少了一个电子，我们用空穴代替这个缺少的电子。空穴吸引电子，对外显正电。我们称之为P型半导体。P取自Positive的首字母，正的、积极的。需要注意的是，P型半导体里面并不全是空穴，它里面也有自由电子的存在，但没有N型半导体里面那么多。N型半导体（电子）N型半导体是在纯净的硅晶体中掺杂了五价磷，此时磷原子多了一个自由电子，自由电子带负电，我们称之为N型半导体。N取

二极管反向恢复时间电脑程控测试系统（智能识别示波器曲线）一主要特点A：电脑设定二极管正向电流，范围0-30A，步进0.1AB：二极管反向电流输出值≥100AC：电脑设定二极管反向电压，范围Vr=10-1000V，步进1VD：PID闭环控制di/dt输出，范围100-1000A/uSE：电脑波形分析软件可读出二极管的7项指标F：示波器波形智能分析二应用范围A：快恢复二极管B：场效应管（Mosfet）寄生二极管C：IGBT内建二极管D：其他需要测量trr的二极管图1TRR测试系统前面板DI-1000-IV是第四代电脑控制产品，集成了电脑、示波器、trr测试仪；前三代产品为手动调节版本，由于测试对示

单纯的推挽电路:会产生交越失真会产生交越失真，原因：信号在0V附近即±0.6V的区间范围内两个管子均未导通。如下图所示稍加改进的推挽电路:会产生交越失真上下分别加入了电阻看下仿真结果，还是产生了交越失真。我们来分下下：虽然貌似引入了直流偏执，但还是产生了交越失真，看下图,需要明白这一点：静态，A点的直流电压始终是和B点的直流电压相等为7.5V。(T1T2都截止，降低静态功耗)测量B点的电压，也确实为7.5V。那该怎么理解呢？静态时两个三极管到底处于什么状态？肯定不是两个管子都导通，因为这正是我们想看到的，因为这样三极管就不会出现交越失真了。下面我分别假设静态时三极管的不同导通状态来进行分析、反